自Geim等人首次发现具有二维碳原子层的石墨烯结构以来，二维纳米材料在纳米电子学领域取得了非常大的研究进展。近年来，二维纳米材料家族中最重要的新兴成员之一是过渡金属碳化物、氮化物和碳氮化物，即MXenes。其一般化学式为Mn+1XnTx（n = 1-4），其中M代表早期过渡金属元素，X为碳或氮元素，Tx为表面基团。然而，尽管其他二维纳米材料（如石墨烯，MoS2等）在忆阻器领域已经绽放异彩，但基于二维MXene材料的忆阻器报道相对较少。这主要是由于其主链结构中具有丰富的自由电子，从而使其表现出类金属导电性而非半导体特性。因此，发展将其应用于忆阻器的有效策略非常重要。值得一提的是，MXene表面因为制备过程中的刻蚀步骤具有丰富的−OH，−F或=O表面基团，为其提供了功能化修饰的潜力。
近日，苏州科技大学李阳团队成功地通过表面工程策略实现了MXene在高鲁棒性忆阻器中的应用。基于MXene表面的丰富官能团，他们选择一种兼备共轭骨架和强离子相互作用的天青石蓝（CB）有机离子材料对Ti3C2Tx-MXene二维纳米片表面进行修饰，使Ti3C2Tx-MXene纳米片的导电性从类金属性转变为半导体性质。该有机-二维杂化材料Ti3C2Tx-CB具有离子-电子协同调控的优点，表现出双极阻变开关特性，包括低工作电压（～0.9 V）和长保留时间（>104 s）。此外，为了解决Ag/Ti3C2Tx-CB/ITO器件在持续工作后出现的性能衰减问题，基于二维氧化石墨烯（GO）层状结构，设计了GO/Ti3C2Tx-CB/GO二维异质结，大大提高了忆阻性能的稳定性。通过理论电荷输运模型和实验扫描电镜分析表明，引入的二维氧化石墨烯层能够起到缓冲层的作用，抑制了导电细丝的随机扩散和过度生长，这是实现器件高鲁棒性的关键。该研究揭示了通过有机离子-电子修饰策略制备高性能MXene忆阻器的前景，并为扩大新型二维纳米材料在非易失性存储器中的应用提供了有效的指导。
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